Einzelwaferbearbeitung

Horizontale Waferbearbeitung

Einzelwaferbearbeitung

Die Einzelwafer-Nassprozesslösungen von AP&S sind genau die richtige Wahl für Sie, wenn hochpräzise Prozesse mit hoher Gleichmäßigkeit, hoher Wiederholgenauigkeit und äußerst präziser Prozesssteuerung erforderlich sind.
Das Portfolio für die Einzelwafer-Bearbeitung von AP&S umfasst eine Vielzahl von Prozessen für die Halbleiter- und MEMS-Produktionskette: Reinigen, Trocknen, Ätzen, Metallätzen, PR-Strip, Lift-off.
Unsere Maschinen für horizontales Waferhandling können alle Standardformate von Substraten verarbeiten: 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm.
Das hauseigene AP&S-Labor „Demo Center“ bietet Ihnen ein breites Spektrum an Einzelwaferprozess-Demonstrationen.

Produkte

EINZELWAFERBEARBEITUNG

SPINSTEP
FLEX LINE

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SPINETCHER
SPE 200

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SPINLIFT-OFF

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SPINMASK

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SPINMETAL

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SPINRCA

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SPINSCRUBBER 

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Einzelwaferbearbeitung

SpinStep Flex Line

Hauptvorteile
  • Optimierte CoC durch geringen Chemikalien- und Wasserverbrauch
  • Maximale Flexibilität durch modularen Aufbau
  • Höchste Zuverlässigkeit durch fortschrittliche Prozesskontrolle
  • Komfortable Handhabung und einfache Größenänderung: In einem Becken sind verschiedene Prozesse möglich; Der Wechsel zwischen verschiedenen Wafergrößen ist sehr einfach
  • Eine Anlagendemonstration im AP&S Demo Center ist verfügbar
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas

Prozesse

Reinigen, Ätzen, Trocknen, Lift-off, Entwickeln und kundenspezifische Anwendungen

Wichtige technische Merkmale
  • Durch den modularen Aufbau ist die Anlage einfach zu konfigurieren und ist flexibel aufrüstbar
  • Optimierte Anlagenstellfläche, einfacher Einzug
  • Es wird kein teurer Platz für das Chemikalienmanagementsystem im Reinraum benötigt, da dieses außerhalb positioniert werden kann.

Einzelwaferbearbeitung

SpinEtcher SPE 200

Main Benefits
  • Optimierte CoC durch geringen Chemikalien- und Wasserverbrauch
  • Prozesssicherheit entsprechend höchster Sicherheitsstufe für Chemikalien
  • Endpunkterkennung für höchste Zuverlässigkeit und Prozesskontrolle:
  • 1. Weniger Überbearbeitungszeit zum vollständigen Ätzen der Schicht erforderlich (d. h. Überätzen)

    2. Geringerer Angriff auf andere Schichten

    3. Stabile Gleichmäßigkeit von Wafer zu Wafer

    4. Erhebliche Reduzierung des Chemikalienverbrauchs möglich

  • Komfortable Handhabung und einfache Größenänderung, bis zu 5 Medien in einer Prozessschale
  • Handhabung dünner Wafer
  • Eine Anlagendemonstration im AP&S Demo Center ist verfügbar
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas

Prozesse

FEOL-Ätzen, BEOL-Ätzen und -Reinigen, Wafer-Verdünnen, Spannungsabbau, Film- und Schadensbeseitigung

Wichtige technische Merkmale
  • Offene Kassette, SMIF-Pod, FOUP
  • Durch den modularen Aufbau einfach zu konfigurieren und flexibel aufrüstbar
  • Maximale Sicherheit für Arbeiter und Anlage nach höchsten Sicherheitsstandards
  • Optimierte Anlagenstellfläche, einfacher Einzug
  • Es wird kein teurer Platz für das Chemikalienmanagementsystem im Reinraum benötigt, da dieses außerhalb positioniert werden kann

Einzelwaferbearbeitung

SpinLift-off

Hauptvorteile
  • Einzigartige Prozessleistung ohne Angriff auf Untergrund und Strukturen
  • Verwendung von DMSO (Dimethylsulfoxid), einem unkritischen EH&S-Stoff (EU & US)
  • Vollständiges Abheben der Metallschicht innerhalb von < 30 Sekunden
  • Kosteneffizienter Prozess: Rückgewinnung von Prozesschemikalien und Edelmetallen
  • Optimierte Prozesszeit mit positivem Einfluss auf den Gesamtdurchsatz
  • Eine Anlagendemonstration im AP&S Demo Center ist verfügbar
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas

Prozesse
  • Die AP&S-Lösung zum Metall-Lift-off ist für alle Arten von Metallschichten, Legierungen und weiteren Schutzschichten erhältlich, die in der Halbleiterindustrie verwendet werden, wie z. B. Au, Ag, AlCu usw.
  • Metall-Lift-off, PR-stripping
Wichtige technische Merkmale
  • Hohe Sicherheit für Arbeiter, Umwelt und Anlage
  • MegaSonic Agitation mit praxiserprobtem MegaSonic-System
  • Effektive Spülung durch optionales Hochdruck-DIW
  • Spülung mit Lösungsmittel (z. B. IPA) ist verfügbar
  • Durch den modularen Aufbau einfach zu konfigurieren und flexibel aufrüstbar
  • Optimierte Anlagenstellfläche, einfacher Einzug

Einzelwaferbearbeitung

SpinMask

Hauptvorteile
  • Maximale Flexibilität bei der Einstellung der Rezeptparameter entsprechend den verschiedenen Maskentypen
  • Hochwertige Reinigungsergebnisse, die zu einer längeren Lebensdauer der Maske führen
  • Extrem vielseitig, da diese Nassprozessanlage für eine Vielzahl von Masken und anderen Substraten geeignet ist
  • Hohe Flexibilität und Produktivität durch schnellen und einfachen Wechsel der Maskengröße
  • Optimierte CoC durch geringen Chemikalien- und Wasserverbrauch
  • Eine Anlagendemonstration im AP&S Demo Center ist verfügbar
Wafergrößen bis zu 9”
Substrate

Masken

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas

Prozesse
  • Fotomaskenreinigung, Fotomaskenätzen, Fotomasken-Resist strip
Important technical features 
  • Durch den modularen Aufbau einfach zu konfigurieren und flexibel aufrüstbar
  • Maximale Sicherheit für Arbeiter, Anlage und Umwelt nach höchsten Sicherheitsstandards
  • Optimierte Anlagenstellfläche, einfacher Einzug
  • Es wird kein teurer Platz für das Chemikalienmanagementsystem im Reinraum benötigt, da dieses außerhalb positioniert werden kann
  • Verfügbare Versionen: Hochdruck, einseitige Bürste, SPM, SC1, dNH4OH, CO2-Ionisierung, MegaSonic-System (MegPie / Meg-Düse)
Additional information:

Das SpinMask-Einzelwafer-Tool ist in unserem Online-Wet-Konfigurator enthalten. Hier können Sie schnell und einfach Ihre SpinMask-Anlage nach Ihren spezifischen Anforderungen erstellen.  

Einzelwaferbearbeitung

SpinMetal

Hauptvorteile
  • Endpunkterkennung für höchste Zuverlässigkeit und Prozesskontrolle:

1. Weniger Überbearbeitungszeit zum vollständigen Ätzen der Schicht erforderlich (d. h. Überätzen)

2. Geringerer Angriff auf andere Schichten

3. Stabile Gleichmäßigkeit von Wafer zu Wafer

4. Erhebliche Reduzierung des Chemikalienverbrauchs möglich

  • Bis zu 6 verschiedene Ätzmedien
  • Rückseitenschutz der Wafer
  • Eine Anlagendemonstration im AP&S Demo Center ist verfügbar
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas

Prozesse

Die SpinMetal-Anlage eignet sich zum Ätzen von Metallstapeln der folgenden Materialien: NickelChrom, Nickel, Kupfer, Kobalt, Aluminium, Gold, Titan, Titantungsten, Silber, Wismutantimonid und andere

Wichtige technische Merkmale
  • Durch den modularen Aufbau einfach zu konfigurieren und flexibel aufrüstbar
  • Maximale Sicherheit für Arbeiter, Anlage und Umwelt nach höchsten Sicherheitsstandards
  • Optimierte Anlagenstellfläche, einfacher Einzug
  • Es wird kein teurer Platz für das Chemikalienmanagementsystem im Reinraum benötigt, da dieses außerhalb positioniert werden kann. Link zu den Mini Chemical Systems

Single Wafer Processing

SpinRCA

Hauptvorteile
  • Optimierte CoC durch geringen Chemikalien- und Wasserverbrauch
  • Bietet alle Vorteile der Einzelwafer-Verarbeitung auf kleinem Raum
  • Maximale Flexibilität und hohe Produktivität durch schnellen und einfachen Wechsel der Wafergrößen
  • Eine Anlagendemonstration im AP&S Demo Center ist verfügbar
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas

Prozesse

SC1, SC2, SPM, dHF

Wichtige technische Merkmale
  • Durch den modularen Aufbau einfach zu konfigurieren und flexibel aufrüstbar
  • Maximale Sicherheit für Arbeiter, Anlage und Umwelt nach höchsten Sicherheitsstandards
  • Es wird kein teurer Platz für das Chemikalienmanagementsystem im Reinraum benötigt, da dieses außerhalb positioniert werden kann.
  • Verfügbare Versionen: MegaSonic-System (MegPie / Meg-Düse)

Einzelwaferbearbeitung

SpinScrubber

Hauptvorteile
  • Optimierte CoC durch geringen Chemikalien- und Wasserverbrauch: chemische Rückführung und Recycling inbegriffen
  • Eine parallele Reinigung der Vorder- und Rückseite des Wafers ist möglich
  • Handhabung dünner Wafer
  • Bis zu zwei verschiedene Reinigungsmedien in einer Prozessschale • Eine Werkzeugdemonstration im AP&S Demo Center ist verfügbar
Wafergrößen bis zu 12"
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas

Processes
  • Post grind
  • Post polish
  • Post CMP
  • Backside
  • Reclaim
  • Bevel clean
  • TSV cleaning
Wichtige technische Merkmale
  • Durch den modularen Aufbau einfach zu konfigurieren und flexibel aufrüstbar
  • Maximale Sicherheit für Arbeiter, Anlage und Umwelt nach höchsten Sicherheitsstandards
  • Optimierte Anlagenstellfläche, einfacher Einzug
  • Es wird kein teurer Platz für das Chemikalienmanagementsystem im Reinraum benötigt, da dieses außerhalb positioniert werden kann.
  • Kundenspezifische Reinigungsmedien auf Anfrage

„Unser Ziel ist es, die gesamte Palette von Nassprozesslösungen abzudecken, die sowohl in der Front-End- als auch in der Back-End-Produktionskette benötigt werden. Gemeinsam mit unseren Kunden entwickeln wir stetig neue, herausragende Verfahren, wie z. das auf dem heutigen Markt einzigartige Metall-Lift-Off-Verfahren von AP&S."

Alexandra Laufer-Müller, CEO

Kontakt

Vertriebsteam

+49 771 8983-0