批处理

垂直晶片处理

批处理

高产量、优化的工艺运行成本、方便和全面的工艺控制、稳定的沉积效果和一次性双侧多晶圆处理是用于半导体设备和微机电系统 (MEMS) 制造的 AP&S 批处理设备的主要特点。

 

AP&S 批处理设备系列包括用于实验室或研发目的的基本手动湿法设备和用于大量生产的全自动高端技术设备。

我们的产品设计、自动化与所需化学品实现了完美匹配,因此,我们的湿法批处理工艺解决方案可为客户提供稳定的工艺、优化的工艺时间、卓越的成本效益和最高的灵活性。

 

AP&S 湿法设备运行最大尺寸可达 12 英寸晶圆和光掩膜的清洗、干燥、蚀刻、金属蚀刻、无电电镀、光阻去除和金属剥离工艺,

产品

批处理

湿法手动设备

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独立干燥机

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TwinStep

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MultiStep

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GigaStep

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TeraStep

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A 系列 

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Vulcanio

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批处理

湿法手动设备

主要优点/主要技术特点:

  • 模块化设计,具有最大的灵活性
  • 广泛的定制和扩展选项
  • 模块化结构,安装快速
  • 可提供经典的湿法手动处理设备和具有更高安全标准的排气装置
  • 材料:低成本聚丙烯 (PP) 和 FM 4910 兼容性材料
  • 占用空间小

晶圆尺寸 最大可达 12 英寸

基板

晶圆和光掩膜

材料配置

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃、石英掩膜

工艺
  •  
  • SC1
  • SC2
  • HF (所有浓度)
  • DSP
  • KOH
  • SPM、TMAH、H3PO4
  • 适用于不锈钢型的溶剂处理工艺
  • 根据要求提供其他工艺

批处理

独立干燥机

主要优点
  • 一台干燥设备可处理最大尺寸可达 300 mm 的不同衬底,可同时处理25 片或 50 片晶圆
  • 晶圆厚度 120 至 2000 µm,无需改动
  • 可作为独立设备,也可集成于湿法设备中
  • 平均处理时间 10 - 12 分钟
晶圆尺寸 最大可达 12 英寸
基板

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、玻璃衬底

材料配置

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃、其他

工艺

异丙醇和氮气干燥工艺

主要技术特点
  • 适用于高边或低边花篮
  • 异丙醇消耗量低:≤ 30 毫升/批次
  • 非常适合于薄晶圆
  • 符合:CE、SemiS2 和 S8、FM 4910、SECS/GEM标准
  • 已验证的可靠性:
  • 平均故障间隔时间 MTBF ≥ 800 h

    运行效率 ≥ 97 %

批处理

TwinStep

主要优点
  • 智能、模块化结构 - 只需从两侧进出(前侧和后侧)
  • 前面的 1 个水槽和 1 个化学品槽,方便晶圆传送和装载操作
  • 卓越的可靠性和工艺重复性,正常运行效率 97%
  • 可靠的晶圆传送系统,确保最高的工艺安全性
晶圆尺寸 最大可达 12 英寸
衬底

晶圆、微机电系统、光电装置、光掩膜、玻璃衬底

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

工艺

不同的蚀刻和清洗工艺

主要技术特点
  • 占用空间小 (LxWxH): 900 x 1625 x 2000 mm
  • 符合 FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS/GEM、CE 标准 
  • 通过最新软件技术进行工艺控制:传感器 - 软件接口,适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录(消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录)、个性化菜单。

批处理

MultiStep

主要优点
  • 智能、模块化结构,安装和维护方便、成本低,具有高度的升级灵活性
  • 无需改动就可处理不同尺寸和厚度的晶圆
  • 卓越的可靠性,正常运行效率 ≥ 97 %
晶圆尺寸 最大可达 8 英寸
衬底

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、玻璃衬底

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

工艺
  • 不同的湿法清洗工艺
  • RCA
  • 扩散前
  • 金属沉积前
  • 各种蚀刻工艺,包括氧化物、氮化物、多晶、金属和硅化物
主要技术特点
  • 占用空间小
  • 工具配置可按照未来产品/工艺的变化和客户需求进行经济地调整
  • 处理 4 英寸到 6 英寸的 2 x 25 个晶圆批量或 25 x 8 英寸个基板 
  • 符合FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE标准
  • 通过最新软件技术进行工艺控制:传感器 - 软件接口,适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录(消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录)、个性化菜单。

批处理

GigaStep

主要优点  
  • 智能、模块化结构,安装和维护方便、成本低,具有高度的升级灵活性
  • 无需改动就可处理不同尺寸和厚度的晶圆
  • 卓越的可靠性,正常运行效率 ≥ 97 %
晶圆尺寸 最大可达 8 英寸
衬底

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、玻璃衬底

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

工艺
  • 不同的湿法清洗工艺
  • RCA
  • 溶剂应用
  • 一台设备包括有机溶剂与化学品组合应用
  • 扩散前
  • 金属沉积前
  • 各种蚀刻工艺,包括氧化物、氮化物、多晶、金属和硅化物
主要技术特点
  • 占用空间小
  • 设备配置可按照未来产品/工艺的变化和客户需求进行经济的调整
  • 处理 6 英寸到 8 英寸衬底的 2 x 25 片晶圆
  • 符合FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE标准
  • 可干进 -> 干出或干出 -> 湿出 
  • 通过最新软件技术进行工艺控制:传感器 - 软件接口,适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录(消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录)、个性化菜单。

批处理

TeraStep

主要优点
  • 一台设备可处理不同尺寸的晶圆:8 英寸到 12 英寸
  • 可处理 40 到 200µm 不同厚度的晶圆 / TAIKO 最大厚度为 2000 µm 的双层晶圆
  • 一台设备可组合处理化学品和溶剂工艺
  • 一台设备可处理不同种类沾污
  • 不同的晶圆盒外形(高边或底边)
晶圆尺寸 最大可达 12 英寸
衬底

晶圆

晶圆材料

硅、氮化镓

工艺
  • 不同的湿法清洗工艺
  • RCA
  • 溶剂应用
  • 一台设备包括溶剂与化学品组合应用
  • 扩散前
  • 金属沉积前
  • 各种蚀刻工艺,包括氧化物、氮化物、多晶、金属和硅化物
主要技术特点
  • 适用于 FOUP 系统 (300 mm)
  • 适用于 SMIF 系统 (150、200mm)
  • 处理 25/50 个晶圆批量
  • 自动装载站,包括薄晶圆传送
  • 干进 -> 干出处理
  • 花篮缓冲区
  • 可使用机器人系统或空中行走式无人搬运车 (OHT) 自动装载
  • 符合FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE标准
  • 通过最新软件技术进行工艺控制:传感器 - 软件接口,适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录(消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录)、个性化菜单。

批处理

A 系列

主要优点
  • 半空间处理 100 片晶圆,清洗槽利用率高,占用空间小
  • 优化过的处理时间,可处理 100 片晶圆批量,产量高
  • 全面的工艺和清洗槽稳定性控制和调整,确保了更低的生产成本和更高的工艺稳定性
晶圆尺寸 6 英寸或 8 英寸
衬底

晶圆

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

工艺
  • 不同的湿法清洗工艺
  • RCA
  • IMEC
  • 扩散前
  • 金属沉积前
  • 各种蚀刻工艺,包括氧化物、氮化物、多晶、金属和硅化物
主要技术特点
  • 适用于 SMIF 系统 (150、200mm)
  • 可使用机器人系统或空中行走式无人搬运车 (OHT) 自动装载
  • 最大可处理 100 个晶圆批量
  • 干进 -> 干出处理
  • 符合:FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE
  • 通过最新软件技术进行工艺控制:传感器 - 软件接口,适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录(消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录)、个性化菜单。

批处理

Vulcanio

主要优点
  • 专为铝或铜电铝和铜垫的凸点下金属层 (UBM) (镍、钯、浸金)设计和优化
  • 软件和硬件的特点确保了卓越的沉积均匀性、清洗槽的高使用寿命和卓越性价比。
  • 基于工艺的分析仪和优化剂量可提供全面的工艺控制和最高的可靠性
晶圆尺寸 6 英寸、8 英寸和 12 英寸
衬底

晶圆

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓

工艺

铝和铜垫的无电 UBM(镍、钯、金)

主要技术特点
  • 适用于 FOUP 系统 (300 mm)
  • 适用于 SMIF 系统 (150、200mm)
  • 处理晶圆尺寸为 6 英寸到 12 英寸的 25 或 50 个晶圆批量
  • 可使用高边或低边花篮
  • 干进 -> 干出处理
  • 符合:FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE
  • 通过最新软件技术进行工艺控制:传感器 - 软件接口,适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录(消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录)、个性化菜单。

“半导体制造行业处于不断变化中,这是 AP&S 大力投资产品开发的原因。AP&S 是半导体和MEMS系统生产商的可靠供应商,可为他们提供晶圆和衬底有效表面处理所需的一切.”

托比亚斯·鲍希 (Tobias Bausch) 介绍说

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