In-depth expertise in
chemical wet processing

应用

半导体和微机电系统湿法处理技术与 AP&S 设备解决方案

清洗工艺

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刻蚀工艺

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光阻去除工艺

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光阻显影工艺

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金属刻蚀工艺

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无电金属沉积

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金属剥离工艺

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晶圆干燥技术

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应用

清洗工艺

基于超高纯化学品的清洗工艺要求能处理先进表面和结构互动性的设备解决方案。设备硬件的设计核心在于对不同深宽比结构的清洗效率。可实现对纳米级微量杂质和微粒的有效去除

湿法手动设备
  • Manual Wet Bench
  • TwinStep
  • MultiStep
  • GigaStep
  • TeraStep
  • A-Series
单晶圆处理
  • SpinStep Flex Line
  • SpinMask
  • SpinRCA
  • SpinScrubber
配套设备
  • Chemical Supply Systems (CDS)

应用

刻蚀工艺

针对不同半导体材料的刻蚀工艺需优化设备硬件,以匹配所用的高纯度化学刻蚀液。该工艺(晶圆尺寸可达300 mm)的主要目标是确保被刻蚀结构的尺寸在晶片内、晶圆内、晶圆间的低标准化差变化。通过优化设备中的流体动力学条件可有效去除晶圆结构的被刻蚀材料,同时AP&S 干燥机有助实现低颗粒水平

批量处理
  • Manual Wet Bench
  • TwinStep
  • MultiStep
  • GigaStep
  • TeraStep
  • A-Series
单晶圆处理
  • SpinStep Flex Line
  • SpinEtch
  • SpinMetal

应用

光阻去除工艺

蚀刻后,结构图案成为晶圆顶层的永久组成部分。曾作为蚀刻屏障的光阻将从结构表面去除。使用不同的化学品(取决于光阻类型)来去除对应的光阻。另外,通过优化硬件可以实现光阻去除后清洁的表面条件和低缺陷密度

批量处理
  • TwinStep
  • MultiStep
  • GigaStep
  • TeraStep
  • A-Series
单晶圆处理
  • SpinStep Flex Line
  • SpinLift-off
  • SpinMask

应用

光阻显影工艺

光阻图案通过化学溶解未聚合光阻区得以显影。显影将在光阻层形成具有精确尺寸的图案,其尺寸在电路设计过程中规定。正性和/或负性光阻需要使用不同的化学品,为匹配所用的化学品,设备硬件会经过相应优化 

批量处理
  • TwinStep
  • MultiStep
  • GigaStep
  • TeraStep
  • A-Series
单晶圆处理
  • SpinStep Flex Line

应用

金属刻蚀工艺

该工艺能刻蚀铝、钛、钨和其他金属。使用针对每种金属成分所需的特定化学品,设备硬件会进行优化,从而完全去除元件晶圆或测试晶圆(晶圆尺寸可达 300 mm)上的金属

批量处理
  • TwinStep
  • MultiStep
  • GigaStep
  • TeraStep
  • A-Series
配套设备
  • SpinStep Flex Line
  • SpinMetal
配套设备
  • 化学品分配系

应用

无电金属沉积

倒装芯片焊接技术对器件的进一步小型化显得越来越重要。凸块下金属化层通过无电沉积技术沉积在铝合金和铜基板上。凸块下金属化层 (UBM) 可用作电连接,具有屏障功能,是基板与锡球之间的机械接触互联。批量处理工艺和单晶圆工艺均能够满足器件要求以及量产时的工艺稳定性要求。  

应用

金属剥离工艺

金属剥离是一种能消除刻蚀变化量的图案化工艺。晶圆通过显影环节处理,在光阻层形成一个孔,金属沉积层同时沉积在光阻层顶面和开孔处。利用超声波装置,沉积层与光阻被去除,晶圆表面形成所需的结构图案

单晶圆处理
  • SpinLift-off

应用

晶圆干燥技术

当晶圆在慢慢被拉出水面时,水面的表面张力将形成独特的条件。表面张力将表面水分拉走,使表面干燥。使用额外的异丙醇 (IPA) 和氮气,可形成显著的表面张力梯度,从而增强在水界面干燥效果(马兰戈尼干燥)

批量处理
  • 独立式干燥机(NID 和马兰戈尼干燥)