清洁
清洁过程
使用纯化学品的清洗工艺需要适当的具有先进表面和结构相互作用的纯设备解决方案。硬件设计的重点是不同长宽比的可变结构的清洁效率。可有效去除污染物和微粒，最小可达纳米级。
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单晶片
生产辅助设备
蚀刻
蚀刻工艺
各种 SC 材料的蚀刻工艺需要针对所使用的高纯度蚀刻化学品进行硬件优化。对于最大尺寸为 300 毫米的晶圆，主要目标是使整个芯片、整个晶圆以及晶圆与晶圆之间的蚀刻结构尺寸具有较低的西格玛变化。通过优化系统中的流体动力学流动条件，可有效去除结构中的蚀刻材料，而 AP&S 干燥概念则有助于降低颗粒含量。
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单晶片
抗撕裂
抗蚀剂剥离工艺
蚀刻后，该结构将成为晶片上层的永久组成部分。作为蚀刻屏障的抗蚀剂将从表面移除。去除抗蚀剂时会使用各种化学物质（取决于抗蚀剂类型），同时对硬件进行优化，以创造清洁的表面条件，并在剥离后实现低缺陷密度。
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单晶片
发展
抵制发展
漆层结构是通过化学溶解未聚合的漆层区域而形成的。在漆层中形成的结构尺寸与电路开发过程中指定的尺寸完全一致。由于正极和/或负极抗蚀层需要不同的化学物质，因此要根据所使用的化学物质对硬件特性进行优化。
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单晶片
金属属性
金属蚀刻工艺
铝、钛、钨等金属结构蚀刻技术：使用根据每种金属复合材料所需的特定化学成分定制的硬件，从直径达 300 毫米的设备或监控器晶片上彻底去除金属。
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单晶片
生产辅助设备
非电解金属分离
倒装芯片粘接
倒装芯片键合对于设备的进一步微型化越来越重要。在铝合金和铜基底上采用无电解沉积技术进行凸块下金属化（UBM）。UBM 起到电气连接的作用，具有阻挡功能，并在基底和焊球之间形成机械连接。批量和单晶片工艺能够满足大规模生产所需的设备要求和工艺稳定性。
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提升-关闭
使用 DMSO（二甲基亚砜）和 Megasonic
金属升华是一种图案化工艺，它消除了蚀刻变化部分。晶圆在一个显影步骤中进行处理，在抗蚀层上留下一个孔，沉积层位于抗蚀层上方和开口处。通过使用超声波，沉积层与漆一起被去除，在晶片表面留下所需的结构。
单晶片
干燥
晶片干燥
当晶片被缓慢拉过水面时，水的表面张力具有独特的性质：张力将水从表面拉走，使晶片保持干燥。通过使用额外的 IPA 和 N2，在水-水界面上产生了强烈的表面张力梯度（马兰戈尼干燥），从而增强了这种效果。
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