对于高均匀性、高重复性和高精度工艺控制性的高精度工艺，AP&S 单晶圆处理解决方案是您的正确选择。

确保客户半导体制造厂的高效湿法工艺是我们的最主要目标！因此，配套设备如.

针对不同半导体材料的刻蚀工艺需优化设备硬件，以匹配所用的高纯度化学刻蚀液。该工艺（晶圆尺寸可达300 mm）的主要目标是确保被刻蚀结构的尺寸在晶片内、晶圆内、晶圆间的低标准化差变化。通过优化设备中的流体动力学条件可有效去除晶圆结构的被刻蚀材料，同时AP&S 干燥机有助实现低颗粒水平。

蚀刻后，结构图案成为晶圆顶层的永久组成部分。曾作为蚀刻屏障的光阻将从结构表面去除。

光阻图案通过化学溶解未聚合光阻区得以显影。显影将在光阻层形成具有精确尺寸的图案，其尺寸在电路设计过程中规定。

该工艺能刻蚀铝、钛、钨和其他金属。使用针对每种金属成分所需的特定化学品，设备硬件会进行优化，从而完全去除元件晶圆或测试晶圆（晶圆尺寸可达 300 mm）上的金属。

倒装芯片焊接技术对器件的进一步小型化显得越来越重要。凸块下金属化层通过无电沉积技术沉积在铝合金和铜基板上。

倒装芯片焊接技术对器件的进一步小型化显得越来越重要。凸块下金属化层通过无电沉积技术沉积在铝合金和铜基板上。