NexAStep
Unsere vollautomatische Batch-Anlage für die Nassbearbeitung mit hohem Durchsatz.
AP&S Produkte
Maximale Ausbeute & Durchsatz
Hoher Durchsatz, kompaktes Design, unterbrechungsfreier Produktionsfluss, schnelle Prozesse, Reduzierung der Partikelbildung & Kontamination
Das Hauptmerkmal von Batch-Prozessen für die Herstellung von Halbleiterbauelementen und
mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) ist die gleichzeitige Bearbeitung mehrerer Wafer auf der Vorder- und Rückseite. Durch das perfekt aufeinander abgestimmte Zusammenspiel von Produktdesign, Automatisierung und den erforderlichen Chemikalien bieten unsere Nassprozesslösungen für die Batch-Bearbeitung maximale Prozesssicherheit, optimierte Prozesszeiten, Kosteneffizienz und maximale Flexibilität.
Als Reaktion auf die wachsende Nachfrage nach schnelleren und effizienteren Nassprozessanlagen wurde NexAStep entwickelt, um die Arbeitsabläufe bei der Waferbearbeitung zu rationalisieren und zu beschleunigen. Durch die Integration modernster Technologie und Automatisierung verspricht NexAStep eine deutliche Steigerung der Produktivität und Zuverlässigkeit von Prozessen und markiert damit einen erheblichen Fortschritt im Bereich der Halbleiterindustrie.
Die vollautomatische NexAStep-Anlage mit hohem Durchsatz bietet mehr Funktionen auf kompakterem Raum für maximale Ausbeute. Diese Anlage ist modular aufgebaut und besitzt alle Vorteile der Modularität.
Hauptvorteile
- Wafer schonender Transport und maximale Geschwindigkeit bei Leerfahrten durch ein hochdynamisches Achssystem
- Optimale Nutzung des Reinraums durch kompaktes Design der Anlage sowie Effiziente Anordnung von Chemikalienversorgung, Abläufen, Vorlagetanks und Schaltschränken in der Modul-Grundfläche
- Modulares Konzept ermöglicht schnellen Auf-, Ab- und Umbau
- Unterbrechungsfreier Produktionsablauf durch ein integriertes Lager mit bis zu 75 Stellplätzen
Prozesse
- Verschiedene Nassreinigungsverfahren
- RCA
- Pre-Diffusion
- Pre-Metal
- Verschiedene Ätzprozesse, einschließlich Oxid, Nitrid, Polykristallin, Metalle und Silicide
Substrate
- Substrate
Wafer - Wafer-Material
Si, SiC, GaN - Wafer-Größen
8″
Technische Merkmale
- Bis zu 12 LMC-Träger à 100 Wafer (8/6 Zoll) mit halbem Abstand oder 50 Wafer (8/6 Zoll) mit normalem Abstand für die effiziente Prozessierung
- Reduzierte Prozesszeiten möglich durch erhöhte Prozesstemperatur von bis zu 170°C
- Reduzierte Spülzeiten und DIW-Verbrauch durch einen DI-Wasserdurchfluss von bis zu 80 l/min dadurch schnellere Becken-Befüllung und damit schnellere Betriebsbereitschaft
- Wartungsarm durch Linearmotorachse
- Intelligente Sicherheitssteuerung zur Kollisionsvermeidung in Verbindung mit einer innovativen Sensorlösung zur Erkennung des Prozess-Carriers
#Kontakt
AP&S Produkte im Einsatz
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